Ion-Ioff performance analysis of FDSOI MOSFETs with low processing temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604646 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604646 , version 1

Citer

Cuiqin Xu, P. Batude, C. Rauer, C. Le Royer, L. Hutin, et al.. Ion-Ioff performance analysis of FDSOI MOSFETs with low processing temperature. Solid-State Devices Meeting, Sep 2010, tokyo, Japan. ⟨hal-00604646⟩
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