Novel characterization of fully-depleted GeOI pMOSFET by magnetoresistance. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604645 , version 1 (29-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604645 , version 1

Citer

W. van den Daele, C. Le Royer, E. Augendre, G. Ghibaudo, S. Cristoloveanu. Novel characterization of fully-depleted GeOI pMOSFET by magnetoresistance.. 2010 IEEE International SOI Conference, Oct 2010, San Diego, California, United States. ⟨hal-00604645⟩
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