Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00604288
Soumis le : mardi 28 juin 2011-15:50:43
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00604288 , version 1
Citer
C. M. Mezzomo, A. Bajolet, A. Cathignol, G. Ghibaudo. Drain Current Variability in 45nm Heavily Pocket-implanted Bulk MOSFET: Characterization and Modeling. 40th European Solid-State Device Research Conference,, Sep 2010, Sevilla, Spain. ⟨hal-00604288⟩
52
Consultations
0
Téléchargements