Drain Current Variability in 45nm Heavily Pocket-implanted Bulk MOSFET: Characterization and Modeling - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604288 , version 1 (28-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604288 , version 1

Citer

C. M. Mezzomo, A. Bajolet, A. Cathignol, G. Ghibaudo. Drain Current Variability in 45nm Heavily Pocket-implanted Bulk MOSFET: Characterization and Modeling. 40th European Solid-State Device Research Conference,, Sep 2010, Sevilla, Spain. ⟨hal-00604288⟩
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