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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603830 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603830 , version 1

Citer

K. Romanjek, E. Augendre, W. van den Daele, B. Grandchamp, L. Sanchez, et al.. Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control. International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS),, Jul 2009, Cambridge, United Kingdom. ⟨hal-00603830⟩
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