Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00603824
Soumis le : lundi 27 juin 2011-14:37:07
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00603824 , version 1
Citer
F. Rochette, X. Garros, G. Reimbold, F. Andrieu, M. Cassé, et al.. Strain sensitivity of gate leakage in biaxially strained FD-SOI nMOSFETs: a benefit for the performance trade-off and a novel way to extract the strain-induced band offset. International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS), Jul 2009, Cambridge, United Kingdom. ⟨hal-00603824⟩
Collections
127
Consultations
0
Téléchargements