Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm
J. Mo
,
A. Olivier
,
Nicolas Wichmann
,
Yannick Roelens
,
L. Desplanque
,
X. Wallart
,
Francois Danneville
,
Gilles Dambrine
,
F. Martin
,
O. Desplats
,
S. Bollaert
(1)
J. Mo
- Function : Author
A. Olivier
- Function : Author
Nicolas Wichmann
- Function : Author
- PersonId : 748104
- IdHAL : nicolas-wichmann
Yannick Roelens
- Function : Author
- PersonId : 748123
- IdHAL : yannick-roelens
L. Desplanque
- Function : Author
- PersonId : 746179
- IdHAL : ludovicdesplanque
- ORCID : 0000-0002-2197-4408
- IdRef : 076098656
X. Wallart
- Function : Author
- PersonId : 741251
- IdHAL : xavier-wallart
- ORCID : 0000-0002-0915-0043
- IdRef : 03424879X
Francois Danneville
- Function : Author
- PersonId : 747124
- IdHAL : francois-danneville
- ORCID : 0000-0002-4725-0010
Gilles Dambrine
- Function : Author
- PersonId : 748125
- IdHAL : gilles-dambrine
F. Martin
- Function : Author
O. Desplats
- Function : Author
S. Bollaert
- Function : Author
- PersonId : 746374
- IdHAL : sylvain-bollaert
- ORCID : 0000-0002-3812-4389
- IdRef : 108875415