Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00597120
Soumis le : mardi 31 mai 2011-11:11:03
Dernière modification le : lundi 16 mars 2026-16:42:41
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00597120 , version 1
Citer
T. Philippe, S. Duguay, D. Mathiot, D. Blavette. Atomic scale evidence of the suppression of boron clustering in implanted silicon by carbon coimplantation. Journal of Applied Physics, 2011, 109, pp. 023501_1-4. ⟨hal-00597120⟩
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