Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2010
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596353
Soumis le : vendredi 27 mai 2011-10:09:32
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:24:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596353 , version 1
Citer
Van den Daele W., E. Augendre, Le Royer C., Damlencourt J.-F., B. Grandchamp, et al.. Low-temperature characterization and modeling of advanced GeOI pMOSFETs : mobility mechanism and origin of the parasitic conduction. Solid-State Electronics, 2010, 54 (2), pp.205-212. ⟨hal-00596353⟩
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