Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2010
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596183
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-16:28:33
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596183 , version 1
Citer
J. Doyoung, J.W. Lee, Tachi Kiichi, L. Montes, T. Ernst, et al.. Low-frequency noise in strained SiGe core-shell nanowire p-channel field effect transistors. Applied Physics Letters, 2010, 97, pp.073505. ⟨hal-00596183⟩
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