Low-frequency noise in strained SiGe core-shell nanowire p-channel field effect transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010

Low-frequency noise in strained SiGe core-shell nanowire p-channel field effect transistors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596183 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596183 , version 1

Citer

J. Doyoung, J.W. Lee, Tachi Kiichi, L. Montes, T. Ernst, et al.. Low-frequency noise in strained SiGe core-shell nanowire p-channel field effect transistors. Applied Physics Letters, 2010, 97, pp.073505. ⟨hal-00596183⟩
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