Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596168
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-16:16:44
Dernière modification le : mercredi 31 juillet 2024-16:24:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596168 , version 1
Citer
K.I. Na, S. Cristoloveanu, Y.H. Bae, P. Patruno, W. Xiong, et al.. Gate-induced floating-body effect (GIFBE) in fully depleted triple-gate n-MOSFETs. Solid-State Electronics, 2009, 53 (2), pp.150-153. ⟨hal-00596168⟩
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