Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596144
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:59:57
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:21:21
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596144 , version 1
Citer
A. Tsormpatzoglou, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, M. Mouis, G. Ghibaudo, et al.. Electrical characterization and design optimization of FinFETs with a TiN/HfO2 gate stack. Semiconductor Science and Technology, 2009, 24 (12), pp.125001:6. ⟨hal-00596144⟩
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