Electrical characterization and design optimization of FinFETs with a TiN/HfO2 gate stack - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2009

Electrical characterization and design optimization of FinFETs with a TiN/HfO2 gate stack

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596144 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596144 , version 1

Citer

A. Tsormpatzoglou, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, M. Mouis, G. Ghibaudo, et al.. Electrical characterization and design optimization of FinFETs with a TiN/HfO2 gate stack. Semiconductor Science and Technology, 2009, 24 (12), pp.125001:6. ⟨hal-00596144⟩
29 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More