Article Dans Une Revue
Journal of The Electrochemical Society
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00596115
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:27:17
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:49:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596115 , version 1
Citer
L. Souriau, T. Nguyen, E. Augendre, R. Loo, V. Terzieva, et al.. High-hole-mobility silicon germanium on insulator substrates with high crystalline quality obtained by the germanium condensation technique. Journal of The Electrochemical Society, 2009, 156 (3), pp.H208-H213. ⟨hal-00596115⟩
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