Article Dans Une Revue
Journ. Appl. Phys.
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596113
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:25:12
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:49:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596113 , version 1
Citer
M. Cassé, F. Rochette, L. Thevenod, N. Bhouri, F. Andrieu, et al.. A comprehensive study of magnetoresistance mobility in short channel transistors: Application to strained and unstrained silicon-on-insulator field-effect transistors. Journ. Appl. Phys., 2009, 105 (8), pp.084503:1-9. ⟨hal-00596113⟩
90
Consultations
0
Téléchargements