Low frequency noise analysis in HfO2/SiO2 gate oxide fully depleted silicon on insulator transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2009
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Dates et versions

hal-00596106 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596106 , version 1

Citer

L. Zafari, J. Jomaah, G. Ghibaudo, O. Faynot. Low frequency noise analysis in HfO2/SiO2 gate oxide fully depleted silicon on insulator transistors. Journal of Vacuum Science and Technology, 2009, 27 (1), pp.402-405. ⟨hal-00596106⟩
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