Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00596106
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:17:34
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:35
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596106 , version 1
Citer
L. Zafari, J. Jomaah, G. Ghibaudo, O. Faynot. Low frequency noise analysis in HfO2/SiO2 gate oxide fully depleted silicon on insulator transistors. Journal of Vacuum Science and Technology, 2009, 27 (1), pp.402-405. ⟨hal-00596106⟩
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