Conception et intégration " Above-IC " d'inductances à fort coefficient de surtension pour applications de puissance RF - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Conception et intégration " Above-IC " d'inductances à fort coefficient de surtension pour applications de puissance RF

Résumé

Ce papier décrit l'optimisation du coefficient de surtension Q d'inductances intégrées au-dessus de substrats à très faibles résistivités (ρ < 0,1 Ω.cm). L'impact de ces résistivités sur les performances ainsi que l'inefficacité des plans de masses structurés sont présentés. Après optimisation du plan de masse, de l'épaisseur du diélectrique ainsi que des sections des métallisations, un coefficient de surtension de 58 à 5 GHz pour une valeur d'inductance totale de 0.8 nH est atteint. Un procédé technologique faible coût a été développé permettant l'intégration de ces inductances au-dessus de transistors LDMOS de puissance en utilisant la résine SU8 comme diélectrique.
Fichier principal
Vignette du fichier
JNM2011_Finale_V1.pdf (354.5 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Loading...

Dates et versions

hal-00591689 , version 1 (10-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00591689 , version 1

Citer

Ayad Ghannam, David Bourrier, Christophe Viallon, Jean-Marie Boulay, Gérard Bouisse, et al.. Conception et intégration " Above-IC " d'inductances à fort coefficient de surtension pour applications de puissance RF. 17èmes Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. 4p. ⟨hal-00591689⟩
149 Consultations
314 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More