Conception et intégration " Above-IC " d'inductances à fort coefficient de surtension pour applications de puissance RF
Résumé
Ce papier décrit l'optimisation du coefficient de surtension Q d'inductances intégrées au-dessus de substrats à très faibles résistivités (ρ < 0,1 Ω.cm). L'impact de ces résistivités sur les performances ainsi que l'inefficacité des plans de masses structurés sont présentés. Après optimisation du plan de masse, de l'épaisseur du diélectrique ainsi que des sections des métallisations, un coefficient de surtension de 58 à 5 GHz pour une valeur d'inductance totale de 0.8 nH est atteint. Un procédé technologique faible coût a été développé permettant l'intégration de ces inductances au-dessus de transistors LDMOS de puissance en utilisant la résine SU8 comme diélectrique.
Domaines
Electromagnétisme| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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