Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs

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Electronique

Nathalie Labat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00585593

Soumis le : mercredi 13 avril 2011-14:31:13

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00585593 , version 1 (13-04-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00585593 , version 1

Citer

Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Cristell Maneux, Arnaud Curutchet, Brice Grandchamp. Link between low frequency noise and reliability of compound semiconductor HEMTs and HBTs. INCF 2011, Jun 2011, Toronto, Canada. pp.458-463. ⟨hal-00585593⟩

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