Testing the temperature limits of GaN-based HEMT devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Année : 2010

Testing the temperature limits of GaN-based HEMT devices

D. Maier
  • Fonction : Auteur
M. Alomari
  • Fonction : Auteur
N. Grandjean
J.F. Carlin
  • Fonction : Auteur
M.A. Di Forte-Poisson
  • Fonction : Auteur
C. Dua
  • Fonction : Auteur
A. Chuvilin
  • Fonction : Auteur
David Troadec
U. Kaiser
  • Fonction : Auteur
S.L. Delage
  • Fonction : Auteur
E. Kohn
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00579038 , version 1 (23-03-2011)

Identifiants

Citer

D. Maier, M. Alomari, N. Grandjean, J.F. Carlin, M.A. Di Forte-Poisson, et al.. Testing the temperature limits of GaN-based HEMT devices. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2010, 10, pp.427-436. ⟨10.1109/TDMR.2010.2072507⟩. ⟨hal-00579038⟩
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