Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00575455
Soumis le : jeudi 10 mars 2011-11:48:51
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00575455 , version 1
Citer
O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, et al.. Extraction of traps in AlGaN/GaN/Al2O3 HEMT's based on DC I-V characteristics. 2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia. ⟨hal-00575455⟩
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