Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00575454
Soumis le : jeudi 10 mars 2011-11:47:57
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00575454 , version 1
Citer
D. Fournier, D. Ducatteau, E. Delos, M. Buczko, P. Scheer, et al.. Impact of the gate layout on the performance of RF power nLDMOSFETs integrated in a 0.13-µm CMOS technology. IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, PASymposium, 2009, San Diego, CA, United States. ⟨hal-00575454⟩
Collections
19
Consultations
0
Téléchargements