Low temperature grown GaAsSb as photoconductive material near 1.06 µm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Low temperature grown GaAsSb as photoconductive material near 1.06 µm

Christophe Coinon
S.R. Plissard
S. Godey
O. Offranc
  • Fonction : Auteur
V. Magnin
Jean-Francois Lampin
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00573575 , version 1 (04-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00573575 , version 1

Citer

X. Wallart, Christophe Coinon, S.R. Plissard, S. Godey, O. Offranc, et al.. Low temperature grown GaAsSb as photoconductive material near 1.06 µm. 22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Kagawa, Japan. ⟨hal-00573575⟩
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