Autre Publication Scientifique Année : 2009

Conception et réalisation technologique de transistors de la filière HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium pour l'amplification de puissance hyperfréquence

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00572806 , version 1 (02-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00572806 , version 1

Citer

Jean-Claude Gerbedoen. Conception et réalisation technologique de transistors de la filière HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium pour l'amplification de puissance hyperfréquence. 2009. ⟨hal-00572806⟩
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