Développement d'une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue d'applications terahertz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Autre Publication Scientifique Année : 2010

Développement d'une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue d'applications terahertz

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00572686 , version 1 (02-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00572686 , version 1

Citer

Estelle Mairiaux. Développement d'une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue d'applications terahertz. 2010. ⟨hal-00572686⟩
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