Microscopic modeling of RF noise in laterally asymmetric channel MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2011

Microscopic modeling of RF noise in laterally asymmetric channel MOSFETs

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00572639 , version 1 (02-03-2011)

Identifiants

Citer

R. Rengel, M.J. Martin, Francois Danneville. Microscopic modeling of RF noise in laterally asymmetric channel MOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 2011, 32, pp.72-74. ⟨10.1109/LED.2010.2082488⟩. ⟨hal-00572639⟩
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