Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2011
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00572639
Soumis le : mercredi 2 mars 2011-08:02:01
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
R. Rengel, M.J. Martin, Francois Danneville. Microscopic modeling of RF noise in laterally asymmetric channel MOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 2011, 32, pp.72-74. ⟨10.1109/LED.2010.2082488⟩. ⟨hal-00572639⟩
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