Article Dans Une Revue
Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications
Année : 2010
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00567897
Soumis le : mardi 22 février 2011-10:41:18
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00567897 , version 1
Citer
H. Mosbahi, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref. Deep levels in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate are characterized by current deep level transient spectroscopy. Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications, 2010, 4, pp.1783-1785. ⟨hal-00567897⟩
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