Deep levels in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate are characterized by current deep level transient spectroscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications Année : 2010

Deep levels in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate are characterized by current deep level transient spectroscopy

H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00567897 , version 1 (22-02-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00567897 , version 1

Citer

H. Mosbahi, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref. Deep levels in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate are characterized by current deep level transient spectroscopy. Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications, 2010, 4, pp.1783-1785. ⟨hal-00567897⟩
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