Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO2 and HfSiO-based structures for non volatile memory applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Research Society Symposia Proceedings Année : 2010

Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO2 and HfSiO-based structures for non volatile memory applications

Caroline Bonafos
F. Gloux
  • Fonction : Auteur
Pierre-Eugène Coulon
  • Fonction : Auteur
Jesse Groenen
Sylvie Schamm-Chardon
Gérard Benassayag
Béatrice Pécassou
S. Lhostis
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00562346 , version 1 (03-02-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00562346 , version 1

Citer

Caroline Bonafos, F. Gloux, Pierre-Eugène Coulon, Jesse Groenen, Sylvie Schamm-Chardon, et al.. Ultra-low energy ion implantation of Si into HfO2 and HfSiO-based structures for non volatile memory applications. Materials Research Society Symposia Proceedings, 2010, 1250, p. G01-07. ⟨hal-00562346⟩

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CNRS
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