Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00550006
Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-10:37:53
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
T. Lacave, P. Chevalier, Y. Campidelli, L. Depoyan, L. Berthier, et al.. Influence of the selectively implanted collector integration on 400 GHz fmax Si/SiGe:C HBTs. 218th Electrochemical Society Meeting, 218th ECS Meeting, 'SiGe, Ge, and Related Compounds 4 : Materials, Processing, and Devices', 2010, United States. pp.331-335, ⟨10.1149/1.3487563⟩. ⟨hal-00550006⟩
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