AlGaN/GaN HEMT on Si (111) substrate for millimeter microwave power applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

AlGaN/GaN HEMT on Si (111) substrate for millimeter microwave power applications

S. Bouzid
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
N. Defrance
H. Maher
F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
M. Renvoise
  • Fonction : Auteur
D. Smith
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00549981

Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-10:18:15

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00549981 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

Citer

S. Bouzid, Virginie Hoel, N. Defrance, H. Maher, F. Lecourt, et al.. AlGaN/GaN HEMT on Si (111) substrate for millimeter microwave power applications. 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010, 2010, Slovakia. pp.111-114, ⟨10.1109/ASDAM.2010.5666316⟩. ⟨hal-00549981⟩

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