Parasitic effects and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue European Physical Journal: Applied Physics Année : 2010

Parasitic effects and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate

O. Fathallah
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00549476 , version 1 (22-12-2010)

Identifiants

Citer

O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref. Parasitic effects and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate. European Physical Journal: Applied Physics, 2010, 51, pp.10304-1-5. ⟨10.1051/epjap/2010085⟩. ⟨hal-00549476⟩
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