Article Dans Une Revue
European Physical Journal: Applied Physics
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00549476
Soumis le : mercredi 22 décembre 2010-09:33:27
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref. Parasitic effects and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate. European Physical Journal: Applied Physics, 2010, 51, pp.10304-1-5. ⟨10.1051/epjap/2010085⟩. ⟨hal-00549476⟩
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