Detection of terahertz radiation by AlGaN/GaN field-effect transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Detection of terahertz radiation by AlGaN/GaN field-effect transistors

M. Ortolani
A. Di Gaspare
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E. Giovine
  • Fonction : Auteur
V. Foglietti
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A. Doria
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G.P. Gallerano
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E. Giovenale
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G. Messina
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I. Spassovsky
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A. Coppa
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C. Lanzieri
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M. Peroni
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A. Cetronio
  • Fonction : Auteur

Résumé

High electron mobility transistors can work as room-temperature direct detectors of radiation at frequency much higher than their cutoff frequency. One open issue is how the radiation couples to the sub-wavelength transistor channel. Here, we studied the coupling of radiation to an AlGaN/GaN transistor with cut-off frequency of 30 GEL Local irradiation with a Free Electron Laser source at 0.15 THz allowed us to selectively couple the signal to the channel through one transistor terminal at a time. Far-field experiments at 0.15 - 0.94 THz were also performed in order to study the nonlinear properties of the transistor channel.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00546345 , version 1 (14-12-2010)

Identifiants

Citer

M. Ortolani, A. Di Gaspare, E. Giovine, F. Evangelisti, V. Foglietti, et al.. Detection of terahertz radiation by AlGaN/GaN field-effect transistors. 34th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2009), Sep 2009, Busan, South Korea. pp.315. ⟨hal-00546345⟩
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