Raman, low temperature photoluminescence and transport investigation of N-implanted 6H-SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1998

Raman, low temperature photoluminescence and transport investigation of N-implanted 6H-SiC

P. Thomas
  • Fonction : Auteur
Sylvie Contreras
Sandrine Juillaguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839245
Jean-Louis Robert
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 884414
Jean Camassel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839246
J. Gimbert
  • Fonction : Auteur
T. Billon
  • Fonction : Auteur
C. Jaussaud
  • Fonction : Auteur

Résumé

We report a combined investigation of Raman, low temperature photoluminescence (LTPL) and high temperature transport measurements performed on nitrogen implanted p-type epitaxial layers of 6H-SiC.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00543782 , version 1 (06-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00543782 , version 1

Citer

P. Thomas, Sylvie Contreras, Sandrine Juillaguet, Jean-Louis Robert, Jean Camassel, et al.. Raman, low temperature photoluminescence and transport investigation of N-implanted 6H-SiC. 7th International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (ICSCIII-N 97), Aug 1997, STOCKHOLM (SWEDEN), France. pp.725-728. ⟨hal-00543782⟩
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