Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Evaluation of p-type doping for (1,1,-2,0) epitaxial layers grown on alpha-cut (1,1,-2,0) 4H-SiC substrates

Caroline Blanc
  • Fonction : Auteur
M. Zielinski
  • Fonction : Auteur
V. Souliere
  • Fonction : Auteur
C. Sartel
  • Fonction : Auteur
Jean Camassel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839246
  • IdRef : 069193568
Y. Monteil
  • Fonction : Auteur

Résumé

We report an experimental investigation of the residual (n-type) and intentional (p-type) doping level of < 11-20> epitaxial layers grown on a-cut 4H-SiC substrates. Using SIMS, C(V) measurements, low temperature photoluminescence and Hall effect investigations, we show that nitrogen incorporates 3 times more than usually found for < 0001> surfaces. Conversely, aluminum incorporates 8 times less. Altogether, this is in excellent agreement with previous results from stepcontrolled epitaxy.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00541640 , version 1 (30-11-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00541640 , version 1

Citer

Caroline Blanc, M. Zielinski, V. Souliere, C. Sartel, Sandrine Juillaguet, et al.. Evaluation of p-type doping for (1,1,-2,0) epitaxial layers grown on alpha-cut (1,1,-2,0) 4H-SiC substrates. 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Aug 2004, Bologna (ITALY), France. pp.117-120. ⟨hal-00541640⟩
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