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Brevet Année : 2009

PROCEDE DE CRISTALLOGENESE D'UN MATERIAU ELECTRIQUEMENT CONDUCTEUR A L'ETAT FONDU

Résumé

La présente invention concerne un procédé de cristallogenèse d'un matériau électriquement conducteur à l'état fondu, par tirage à partir d'une masse fondue de ce matériau dans un creuset (1), dans lequel :- le matériau fondu est soumis progressivement à une température décroissante, de telle sorte qu'il se forme une interface liquide-solide, et- le matériau fondu est soumis, avant et pendant la solidification, à un brassage électromagnétiq ue,ledit procédé étant caractérisé en ce que l'on contrôle en outre la planéité de l'interface liquide-solide du matériau.L'invention concerne également un dispositif pour la mise en oeuvre dudit procédé.

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00528920 , version 1 (22-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00528920 , version 1

Citer

T. Duffar, G. Vian. PROCEDE DE CRISTALLOGENESE D'UN MATERIAU ELECTRIQUEMENT CONDUCTEUR A L'ETAT FONDU. France, N° de brevet: FR 2927910 (A1). EPM. 2009. ⟨hal-00528920⟩

Collections

UGA CNRS SIMAP
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