NanoSilicon based Electronics processed at very low temperature (T<180° C) - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

NanoSilicon based Electronics processed at very low temperature (T<180° C)

Yolande Sambin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00525199

Soumis le : lundi 11 octobre 2010-13:44:09

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:53

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00525199 , version 1 (11-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00525199 , version 1

Citer

Nathalie . Coulon, Claude Simon, Amar Saboundji, A. Gorin, Khalid Kandoussi, et al.. NanoSilicon based Electronics processed at very low temperature (T<180° C). The second French Research Organizations Tohoku University Joint Workshop on Frontier Materials (FRONTIER - 2009), Nov 2009, Sendai, Japan. ⟨hal-00525199⟩

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