On the Potentiality of Planar Independent Double Gate for Capacitorless eDRAM - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

On the Potentiality of Planar Independent Double Gate for Capacitorless eDRAM

S. Puget
  • Fonction : Auteur
G. Bossu
  • Fonction : Auteur
P. Mazoyer
  • Fonction : Auteur
Jean-Michel Portal
Centre de Recherches Pétrographiques et Géochimiques
P. Masson
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
R. Bouchakour
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electromagnétisme

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https://hal.science/hal-00524964

Soumis le : samedi 9 octobre 2010-22:42:34

Dernière modification le : lundi 2 décembre 2024-14:48:12

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Dates et versions

hal-00524964 , version 1 (09-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00524964 , version 1

Citer

S. Puget, G. Bossu, P. Mazoyer, Jean-Michel Portal, P. Masson, et al.. On the Potentiality of Planar Independent Double Gate for Capacitorless eDRAM. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Jun 2008, Honolulu, United States. pp.Poster 2-27. ⟨hal-00524964⟩

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