A SiGe:C BiCMOS LNA for 94GHz band applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

A SiGe:C BiCMOS LNA for 94GHz band applications

Raffaele Severino
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 847754
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Thierry Taris
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 843341
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Yann Deval
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
CV
Didier Belot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 841239
STMicroelectronics [Crolles]
Jean-Baptiste Begueret
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 841238
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Résumé

A new low noise amplifier (LNA) dedicated to 94GHz band has been implemented in a 130nm BiCMOS technology intended for millimeter waves applications. The circuit is a single stage cascode amplifier utilizing transmission lines and MIM capacitors for input, output and inter-stage matching. On chip measurements show a 9.08dB maximum peak of power gain at 94.7GHz and a 1dB compression point at -14.9dBm of input power. The noise figure is 8.6dB and the power consumption is 13mW.

Domaines

Electronique

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https://hal.science/hal-00517064

Soumis le : lundi 13 septembre 2010-14:37:24

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00517064 , version 1 (13-09-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00517064 , version 1

Citer

Raffaele Severino, Thierry Taris, Yann Deval, Didier Belot, Jean-Baptiste Begueret. A SiGe:C BiCMOS LNA for 94GHz band applications. IEEE Bipolar/ BiCMOS Circuits and Technology Meeting 2010, Oct 2010, Austin, United States. pp.304-308. ⟨hal-00517064⟩

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