Suppression of boron transient-enhanced diffusion In SiGe HBTs by a burried carbon layer - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2001

Suppression of boron transient-enhanced diffusion In SiGe HBTs by a burried carbon layer

S. Jouan
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H. Baudry
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D. Dutartre
C. Fellous
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M. Laurens
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D. Lenoble
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M. Marty
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A. Monroy
  • Fonction : Auteur
A. Perrotin
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P. Ribot
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G. Vincent
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Laboratoire des technologies de la microélectronique
A. Chantre
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Soumis le : mercredi 23 juin 2010-14:42:05

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:47

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Dates et versions

hal-00494524 , version 1 (23-06-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00494524 , version 1

Citer

S. Jouan, H. Baudry, D. Dutartre, C. Fellous, M. Laurens, et al.. Suppression of boron transient-enhanced diffusion In SiGe HBTs by a burried carbon layer. IEEE Transactions on Electron Devices, 2001, pp.Vol 48, n8, 2001. ⟨hal-00494524⟩

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