Deep GaN Etching by Inductively Coupled Plasma - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00487363 , version 1 (28-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00487363 , version 1

Citer

Julien Ladroue, Mohamed Boufnichel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson, et al.. Deep GaN Etching by Inductively Coupled Plasma. 3RD WORKSHOP ON PLASMA ETCH AND STRIP IN MICROELECTRONICS, Mar 2010, France. ⟨hal-00487363⟩
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