Gravure du GaN pour la prochaine génération de diodes Schottky - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00487358 , version 1 (28-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00487358 , version 1

Citer

Julien Ladroue, Remi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson. Gravure du GaN pour la prochaine génération de diodes Schottky. Workshop MNTS 12-20, Minatec, Mar 2010, Grenoble, France. ⟨hal-00487358⟩
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