Growth and characterization of single phase GaP on Si(001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Growth and characterization of single phase GaP on Si(001)

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00486678 , version 1 (26-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00486678 , version 1

Citer

Weiming Guo, Antoine Létoublon, Alexandre Bondi, Charles Cornet, Jacky Even, et al.. Growth and characterization of single phase GaP on Si(001). Colloque de l'Association Française de Cristallographie 2008, Jul 2008, Rennes, France. pp.W. Guo. ⟨hal-00486678⟩
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