High rate silicon carbide etching - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

High rate silicon carbide etching

P. Chabert
J. Perrin
J.P Booth
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00481964 , version 1 (07-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00481964 , version 1

Citer

P. Chabert, J. Perrin, J.P Booth, G. Cunge. High rate silicon carbide etching. ISPC, 15th International Symposium on Plasma Chemistry, 2001, Orleans, France. ⟨hal-00481964⟩
42 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More