Fabrication and fundamentals of operation of an InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2009

Fabrication and fundamentals of operation of an InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor

Nicolas Wichmann
B.G. Vasallo
  • Fonction : Auteur
Yannick Roelens
X. Wallart
A. Cappy
T. Gonzalez
D. Pardo
  • Fonction : Auteur
J. Mateos
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00469682 , version 1 (02-04-2010)

Identifiants

Citer

Nicolas Wichmann, B.G. Vasallo, S. Bollaert, Yannick Roelens, X. Wallart, et al.. Fabrication and fundamentals of operation of an InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor. Applied Physics Letters, 2009, 94, pp.103504-1-3. ⟨10.1063/1.3095482⟩. ⟨hal-00469682⟩
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