High-speed growth and characterization of polycrystalline AlN layers by High temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD). - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2009

High-speed growth and characterization of polycrystalline AlN layers by High temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD).

Domaines

Matériaux Matériaux

Yannick Champion  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00457445

Soumis le : mercredi 17 février 2010-12:53:46

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00457445 , version 1 (17-02-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00457445 , version 1

Citer

A. Claudel, E. Blanquet, D. Chaussende, Roland Martin, D. Pique, et al.. High-speed growth and characterization of polycrystalline AlN layers by High temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD).. ECS Transactions, 2009, 25 (8), pp.323-326. ⟨hal-00457445⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA CNRS SIMAP LMGP
85 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More