Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2010
Yannick Champion : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00456991
Soumis le : mardi 16 février 2010-12:08:06
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00456991 , version 1
Citer
Michel Mermoux, Alexandre Crisci, Francis Baillet, V. Destefanis, V. Rouchon, et al.. Strain in epitaxial Si/SiGe graded buffer structures grown on Si(100), SI(110) and SI(111) optically evaluated by polarized Raman spectroscopy and imaging.. Journal of Applied Physics, 2010, 107, pp.013512 1-10. ⟨hal-00456991⟩
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