Local ESD protection structure based on Silicon Controlled Rectifier achieving very low overshoot voltage - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Local ESD protection structure based on Silicon Controlled Rectifier achieving very low overshoot voltage

Résumé

This paper presents a new local ESD protection structure. This structure is based on static triggered SCR and realized in a 45nm CMOS technology node. This protection achieves very low static triggering voltage, low on-resistance, low DC leakage current for off configurations. This new structure is latch-up free and fail safe.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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https://hal.science/hal-00445672

Soumis le : lundi 11 janvier 2010-09:26:13

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:22

Archivage à long terme le : vendredi 18 juin 2010-00:38:28

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Dates et versions

hal-00445672 , version 1 (11-01-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00445672 , version 1

Citer

Johan Bourgeat, Christophe Entringer, Philippe Galy, Pascal Fonteneau, Marise Bafleur. Local ESD protection structure based on Silicon Controlled Rectifier achieving very low overshoot voltage. 31st Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, 2009. EOS/ESD 2009, Aug 2009, ANAHEIM, United States. pp.314-321. ⟨hal-00445672⟩

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