Article Dans Une Revue
International Journal of nanoelctronics and materials
Année : 2009
Yolande Sambin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00444292
Soumis le : mercredi 6 janvier 2010-12:49:14
Dernière modification le : jeudi 7 mars 2024-10:14:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00444292 , version 1
Citer
N. Benseddik, M. Amrani, Z. Benamara, Tayeb Mohammed-Brahim. 2D-modelling for the simulation of current voltage characteristics in polysilicon Schottky diode deposited by LPCVD and SAPCVD methods. International Journal of nanoelctronics and materials, 2009, 2 (1), pp.75-89. ⟨hal-00444292⟩
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