Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Remi Dussart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00442683
Soumis le : mardi 22 décembre 2009-11:43:40
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:52
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00442683 , version 1
Citer
Corinne Y. Duluard, Thomas Tillocher, Laurianne E. Pichon, Remi Dussart, Philippe Lefaucheux, et al.. A comparative study on O2 and SO2 passivating chemistry for silicon deep cryogenic etching. AVS 53rd International Symposium & Exhibition, Nov 2009, San Francisco, United States. ⟨hal-00442683⟩
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