Effect of low nitrogen concentrations on the electronic properties of InAs1¡xNx. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2009

Effect of low nitrogen concentrations on the electronic properties of InAs1¡xNx.

A. Patane
  • Fonction : Auteur
W. H. M. Feu
  • Fonction : Auteur
O. Makarovsky
  • Fonction : Auteur
L. Eaves
A. Krier
  • Fonction : Auteur
Q. D. Zhuang
  • Fonction : Auteur
M. Helm
  • Fonction : Auteur
G. Hill.
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00441924 , version 1 (17-12-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00441924 , version 1

Citer

A. Patane, W. H. M. Feu, O. Makarovsky, Oleksiy Drachenko, L. Eaves, et al.. Effect of low nitrogen concentrations on the electronic properties of InAs1¡xNx.. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2009, 80, pp.115207. ⟨hal-00441924⟩
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