Effet of the substrate holder bias voltage on the a-Si :H properties deposited by DC magnetron sputtering - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00438332 , version 1 (03-12-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00438332 , version 1

Citer

A. Benabdelmoumen, Rabah Cherfi, A. Tata, M. Kechouane, M. Aoucher, et al.. Effet of the substrate holder bias voltage on the a-Si :H properties deposited by DC magnetron sputtering. 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, Aug 2007, Breckenridge, United States. ⟨hal-00438332⟩
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