Phosphorus doping and deposition pressure effects on optical and electrical properties of polysilicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: C Année : 2006
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Dates et versions

hal-00437327 , version 1 (30-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00437327 , version 1

Citer

Mariem Zaghdoudi, M. Abdelkrim, M. Fathallah, Tayeb Mohammed-Brahim, Régis Rogel. Phosphorus doping and deposition pressure effects on optical and electrical properties of polysilicon. Materials Science and Engineering: C, 2006, 26 (2-3), pp.177-180. ⟨hal-00437327⟩
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